爱子日志

SLC、MLC、TLC、QLC芯片的区别与使用寿命

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命；

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，约3000-10000次擦写寿命；

TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命；

QLC= Quad Level Cell，即4bit/cell。

转载自：http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=133526

SLC-MLC颗粒

目前市场上的存储卡大部分采用SLC或者MLC颗粒。

这两者存在很大的差距，MLC全称为Multi Level Cell NAND闪存，主要由东芝、瑞萨供给，采用多层单元技术，主要采用0.13微米的制造工艺，电压3.3V，存取时间70us，擦写次数在10000次左右。MLC的特点是成本低、功耗高、速度慢。

   Single Level Cell NAND闪存主要由三星、现代生产，采用0.09微米制造工艺，在性能和稳定性非常出色，电压最低可达1.8V，存取时间25us，擦写次数在100000次左右。SLC拥有众多优势，不仅速度更快、在能耗上要低于MLC，更可以保证相当MLC 10倍的寿命，其架构是比较先进的，更加适合对功耗要求严格的数码产品。价格偏高是最大的弱项。

   而现在廉价的SD卡大多采用的可能都是MLC颗粒，这一点是无法避免的，毕竟是出于成本考虑。